onsemi IGBT / 200 A ±20V max. , 650 V 375 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal

Dieser bipolare Transistor mit isoliertem Gate (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Feld-Stop IV-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. Darüber hinaus ist dieses neue Gerät in einem TO-247-4L-Gehäuse verpackt, das im Vergleich zum Standard-TO-247-3L-Gehäuse eine deutliche Reduzierung der Einschaltverluste bietet. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.

Extrem effizienter Graben mit Feld-Stop-Technologie
TJmax = 175 °C
Verbesserte Gate-Steuerung verringert Schaltverluste
Separater Emitter-Antriebsstift
TO-247-4L für minimale Einschaltverluste
Optimiert für Hochgeschwindigkeitsschaltung
Hierbei handelt es sich um bleifreie Geräte
Solarwechselrichter
Unterbrechungsfreie Inverter-Stromversorgung
Neutralpunkt-Klemmentopologie