onsemi IGBT / 75 A, 650 V 375 W, 4-Pin TO-247 Typ P-Kanal Durchsteckmontage

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
181-1929
Herst. Teile-Nr.:
FGH75T65SQDNL4
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ P

Pinanzahl

4

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.43V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

Field Stop IV

Normen/Zulassungen

Pb-Free, Halide Free

Energie

160mJ

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieser bipolare Transistor mit isoliertem Gate (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Feld-Stop IV-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. Darüber hinaus ist dieses neue Gerät in einem TO-247-4L-Gehäuse verpackt, das im Vergleich zum Standard-TO-247-3L-Gehäuse eine deutliche Reduzierung der Einschaltverluste bietet. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.

Extrem effizienter Graben mit Feld-Stop-Technologie

TJmax = 175 °C

Verbesserte Gate-Steuerung verringert Schaltverluste

Separater Emitter-Antriebsstift

TO-247-4L für minimale Einschaltverluste

Optimiert für Hochgeschwindigkeitsschaltung

Hierbei handelt es sich um bleifreie Geräte

Solarwechselrichter

Unterbrechungsfreie Inverter-Stromversorgung

Neutralpunkt-Klemmentopologie

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