onsemi IGBT / 200 A ±20V max. , 650 V 375 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
181-1929
Herst. Teile-Nr.:
FGH75T65SQDNL4
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

200 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

375 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

P

Pinanzahl

4

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Gate-Kapazität

5100pF

Nennleistung

160mJ

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Ursprungsland:
CN
Dieser bipolare Transistor mit isoliertem Gate (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Feld-Stop IV-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. Darüber hinaus ist dieses neue Gerät in einem TO-247-4L-Gehäuse verpackt, das im Vergleich zum Standard-TO-247-3L-Gehäuse eine deutliche Reduzierung der Einschaltverluste bietet. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.

Extrem effizienter Graben mit Feld-Stop-Technologie
TJmax = 175 °C
Verbesserte Gate-Steuerung verringert Schaltverluste
Separater Emitter-Antriebsstift
TO-247-4L für minimale Einschaltverluste
Optimiert für Hochgeschwindigkeitsschaltung
Hierbei handelt es sich um bleifreie Geräte
Solarwechselrichter
Unterbrechungsfreie Inverter-Stromversorgung
Neutralpunkt-Klemmentopologie

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