onsemi IGBT / 160 A ±30V max. , 1200 V 454 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 178-4594
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40T120SQDNL4
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 160 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 454 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | P | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Gate-Kapazität | 5000pF | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 160 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 454 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ P | ||
Pinanzahl 4 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.8 x 5.2 x 22.74mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Gate-Kapazität 5000pF | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
On Semiconductor IGBT
On Semiconductor ist ein P-Kanal TO-247-4L IGBT-Transistor für Durchgangsbohrung. Er hat einen maximalen Nennstrom von 160 A und eine maximale Nennspannung von 1200 V. Dieser IGBT ist ein robustes und kostengünstiges Gerät, das überlegene Leistung in anspruchsvollen Schaltanwendungen bietet. Er bietet sowohl eine niedrige Spannung im eingeschalteten Zustand als auch minimale Schaltverluste. In dieses Gerät ist eine weiche und schnelle, koverpackte Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung integriert.
Eigenschaften und Vorteile
• Kostengünstig
• Extrem effizienter Graben mit Feldstopp-Technologie
• halogenfreies Gerät
• Hohe Langlebigkeit
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Optimiert für Hochgeschwindigkeitsschalten
• Pb-freies Gerät
• Sanftschnelle Sperrdiode
• TJmax beträgt 175 °C.
• Extrem effizienter Graben mit Feldstopp-Technologie
• halogenfreies Gerät
• Hohe Langlebigkeit
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Optimiert für Hochgeschwindigkeitsschalten
• Pb-freies Gerät
• Sanftschnelle Sperrdiode
• TJmax beträgt 175 °C.
Anwendungen
• Solarwechselrichter
• UPS
• Schweißgeräte
• UPS
• Schweißgeräte
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• BS EN 61340-5-1:2007
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