STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 168 W, 3-Pin TO N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 192-4655
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT20H65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
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| 120 - 240 | 1,798 € | 53,94 € |
| 270 - 480 | 1,75 € | 52,50 € |
| 510 - 990 | 1,706 € | 51,18 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 192-4655
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT20H65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 168 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 40 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 168 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
- Ursprungsland:
- KR
Diese Geräte sind IGBTs, die mit einem Advanced-eigenen Trench Gate und einer Feldstoppstruktur entwickelt wurden. Das Gerät ist Teil der neuen IGBTs der HB-Serie, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad jedes Frequenzumrichters zu maximieren. Darüber hinaus sorgen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung für einen sichereren Parallelbetrieb.
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Hochgeschwindigkeits-Schaltserie
Minimierter Endstrom
VCE(sat)= 1,55 V (typ.) @ IC= 20 A
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelschaltung
Niedriger Wärmewiderstand
Bleifreies Gehäuse
Hochgeschwindigkeits-Schaltserie
Minimierter Endstrom
VCE(sat)= 1,55 V (typ.) @ IC= 20 A
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelschaltung
Niedriger Wärmewiderstand
Bleifreies Gehäuse
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