STMicroelectronics Trench-Gate-Field-Stop-IGBT / 10 A, 600 V 88 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
165-8040
Herst. Teile-Nr.:
STGD5H60DF
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

10A

Produkt Typ

Trench-Gate-Field-Stop-IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.95V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.6mm

Höhe

2.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

H

Automobilstandard

Nein

Energie

221mJ

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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