STMicroelectronics Trench-Gate-Field-Stop-IGBT / 60 A, 600 V 260 W, 3-Pin TO-3PF Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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Herst. Teile-Nr.:
STGFW30V60DF
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Trench-Gate-Field-Stop-IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

60A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

260W

Gehäusegröße

TO-3PF

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

26.7mm

Normen/Zulassungen

ECOPACK

Serie

V

Breite

5.7 mm

Länge

15.7mm

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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