STMicroelectronics Trench-Gate-Field-Stop-IGBT / 40 A, 650 V 168 W, 3-Pin AN Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
192-4809
Herst. Teile-Nr.:
STGWT20H65FB
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Trench-Gate-Field-Stop-IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

168W

Gehäusegröße

AN

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

HB

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
KR
Diese Geräte sind IGBTs, die mit einem Advanced-eigenen Trench Gate und einer Feldstoppstruktur entwickelt wurden. Das Gerät ist Teil der neuen IGBTs der HB-Serie, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad jedes Frequenzumrichters zu maximieren. Darüber hinaus sorgen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung für einen sichereren Parallelbetrieb.

Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.

Hochgeschwindigkeits-Schaltserie

Minimierter Endstrom

VCE(sat)= 1,55 V (typ.) @ IC= 20 A

Enge Parameterverteilung

Sichere Parallelschaltung

Niedriger Wärmewiderstand

Bleifreies Gehäuse

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