Semikron Danfoss IGBT-Modul / 160 A, 1200 V SEMITRANS 2 GAL Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
210-4948
Herst. Teile-Nr.:
SKM100GAL12T4
Marke:
Semikron Danfoss
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Marke

Semikron Danfoss

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

160A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Gehäusegröße

SEMITRANS 2 GAL

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Schaltgeschwindigkeit

20kHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.4V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

UL, File no. E63532

Länge

94mm

Breite

34 mm

Serie

SKM100GAL12T4

Höhe

30mm

Automobilstandard

Nein

Das schnelle IGBT 4-Modul SEMIKRON semitrans 2-Gehäuse gehört zur IGBT4-Generation, die eine bevorzugte Wahl für Anwendungen wie Hybrid- oder Elektrofahrzeuge, elektronische Schweißgeräte mit Schaltfrequenzen von bis zu 20 kHz, DC/DC-Wandler, Brems-Chopper und Schaltabwärtsmotor sein kann. Der Chipsatz bietet eine isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper) und in das Modul integrierte Soft-Switching-CAL-Diode der 4. Generation.

Integrierter Gate-Widerstand

Verbesserte Leistungswechselfunktion und weiches Schalten

Betriebstemperatur = -40 bis 150 °C.

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