Teile-Nr.

Infineon IGBT / 85 A, 650 V 227 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

RS Best.-Nr.:: 215-6633
Herst. Teile-Nr.:: IGW30N65L5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 85 A, 650 V 227 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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30 - 30	1,908 €	57,24 €
60 - 120	1,813 €	54,39 €
150 - 270	1,736 €	52,08 €
300 - 570	1,66 €	49,80 €
600 +	1,546 €	46,38 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 215-6633
Herst. Teile-Nr.:: IGW30N65L5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	85A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	650V
	Maximale Verlustleistung Pd	227W
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Pinanzahl	3
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	±30 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	1.5V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC
	Serie	LowVCE(sat) Fifth Generation
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 85A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V
	Maximale Verlustleistung Pd 227W
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Kabelkanaltyp Typ N
	Pinanzahl 3
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC
	Serie LowVCE(sat) Fifth Generation
	Automobilstandard Nein

Datasheet-IGW30N65L5XKSA1

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der fünften Generation von Infineon mit niedriger Sättigungsspannung.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 85 A, 650 V 227 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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