Infineon IGBT / 85 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6634
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW30N65L5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
3,538 €
(ohne MwSt.)
4,21 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,538 € | 17,69 € |
| 25 - 45 | 2,902 € | 14,51 € |
| 50 - 120 | 2,688 € | 13,44 € |
| 125 - 245 | 2,512 € | 12,56 € |
| 250 + | 2,336 € | 11,68 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 215-6634
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW30N65L5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der fünften Generation von Infineon mit niedriger Sättigungsspannung.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 85 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30 V |
| Verlustleistung max. | 227 W |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 |
| Pinanzahl | 3 |
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