Infineon Resonantes Schalten / 80 A, 1200 V 394 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6640
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Resonantes Schalten | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 394W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 42mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-free lead plating, IEC61249-2-21, RoHS, JESD-022 | |
| Serie | IHW40N120R5 | |
| Breite | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Resonantes Schalten | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 394W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 42mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-free lead plating, IEC61249-2-21, RoHS, JESD-022 | ||
Serie IHW40N120R5 | ||
Breite 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Resonanzschaltung der Serie IHW40N120R5 von Infineon, 1200 V Kollektor-Emitter-Spannung, 80 A kontinuierlicher Kollektorstrom – IHW40N120R5XKSA1
Dieses resonante Schaltgerät ist ein Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, der für den Einsatz in anspruchsvollen Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Transistor in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine robuste Strombelastbarkeit und eine hohe Temperaturbeständigkeit erfordern. Die Komponente eignet sich für Entwickler, die einen diskreten Leistungstransistor für Resonanzwandler und andere Hochenergie-Schalttopologien benötigen.
Merkmale und Vorteile:
• 1200-V-Sperrkapazität ermöglicht Hochspannungs-Systemkonstruktionen
• 80 A Dauerstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 1,85 V VCE(sat) reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• Die Gate-Emitter-Bewertung von ±25 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• Die Verlustleistung von 394 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• 80 A Dauerstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 1,85 V VCE(sat) reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• Die Gate-Emitter-Bewertung von ±25 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• Die Verlustleistung von 394 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
Anwendungsbereich
• Geeignet für resonante AC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für Hochleistungswechselrichter-Ausgangsstufen
• Wird für industrielle Stromversorgungen mit hoher Beanspruchung verwendet
• Kann für Soft-Switching-Topologien in SMPS verwendet werden
• Geeignet für Laborprüfgeräte für Leistungselektronik
• Ideal für Hochleistungswechselrichter-Ausgangsstufen
• Wird für industrielle Stromversorgungen mit hoher Beanspruchung verwendet
• Kann für Soft-Switching-Topologien in SMPS verwendet werden
• Geeignet für Laborprüfgeräte für Leistungselektronik
Welche Befestigung und Pin-Konfiguration werden verwendet?
Das Gerät wird in einem TO-247-Gehäuse mit drei Stiften geliefert und ist für die Durchsteckmontage auf geeigneten kupferbeschichteten Substraten vorgesehen.
Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -40 °C bis 175 °C Sperrschichttemperatur ausgelegt und bietet eine große thermische Spanne in rauen Umgebungen.
Auf welche Normen wird für die Material- und Platinenkompatibilität Bezug genommen?
Die Komponente entspricht den IEC 61249-2-21-Richtlinien für Laminate und erfüllt RoHS-Beschränkungen sowie Pb-freie Bleibeschichtungspraktiken.
Wie wirkt sich die Gate-Emitter-Grenze auf die Antriebsstromkreise aus?
Die maximale Gate-Emitter-Bewertung von ±25 V legt die zulässige Peak-Gate-Swing fest und erfordert Gate-Treiber, die die Gate-Spannung innerhalb dieses Fensters halten.
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