Infineon Resonantes Schalten / 80 A, 1200 V 394 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6641P
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 20 Stück (geliefert in Stange)*
64,40 €
(ohne MwSt.)
76,60 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 2.112 Einheit(en) mit Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 48 | 3,22 € |
| 50 - 98 | 3,005 € |
| 100 - 198 | 2,795 € |
| 200 + | 2,57 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6641P
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N120R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Produkt Typ | Resonantes Schalten | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 394W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±25 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-free lead plating, IEC61249-2-21, RoHS, JESD-022 | |
| Serie | IHW40N120R5 | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Produkt Typ Resonantes Schalten | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 394W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±25 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-free lead plating, IEC61249-2-21, RoHS, JESD-022 | ||
Serie IHW40N120R5 | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate mit leistungsfähiger monolithischer Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung für weiche Kommutierung.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Verwandte Links
- Infineon Resonantes Schalten / 80 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon Rückwärtsleitender IGBT / 80 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 80 A 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 81 A, 1200 V TO-247 Typ N-Kanal
- Infineon IGBT / 25 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 40 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 8 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage