Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±25 V max., 1200 V 394 W, 3-Pin PG-TO247-3

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
215-6641P
Herst. Teile-Nr.:
IHW40N120R5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20 V, ±25 V

Verlustleistung max.

394 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3

Pinanzahl

3

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate mit leistungsfähiger monolithischer Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung für weiche Kommutierung.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen