Teile-Nr.

Infineon IGBT / 55 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO247-3

RS Best.-Nr.:: 215-6671
Herst. Teile-Nr.:: IKW30N65H5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 55 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO247-3

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RS Best.-Nr.:: 215-6671
Herst. Teile-Nr.:: IKW30N65H5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	55 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	188 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 55 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 188 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-IKW30N65H5XKSA1

Der isolierte Infineon-650-V-Zweitack-Bipolartransistor ist eine Diode der 5. Generation der Hochgeschwindigkeits-Schaltserie.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 55 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO247-3

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