Infineon IGBT / 90 A, 650 V 395 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6675
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
10,97 €
(ohne MwSt.)
13,054 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 52 Einheit(en) mit Versand ab 04. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,485 € | 10,97 € |
| 10 - 18 | 4,985 € | 9,97 € |
| 20 - 48 | 4,655 € | 9,31 € |
| 50 - 98 | 4,33 € | 8,66 € |
| 100 + | 4,00 € | 8,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6675
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 90A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 41.42mm | |
| Breite | 16.13 mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 90A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 41.42mm | ||
Breite 16.13 mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und Hochgeschwindigkeits-H5-Technologie.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 90 A ±20 V 650 V 395 W, 3-Pin PG-TO247-3
- IGBT-Transistormodul / 75 A 15V max. Dual, 650 V 395 W PG-TO247-3
- Infineon IGBT ±20V max., 650 V PG-TO247-3
- Infineon IGBT ±20V max., 650 V 230 W PG-TO247-3
- Infineon IGBT ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 80 A 20V max. 42 V 395 W PG-TO247-4
- Infineon IGBT / 50 A 20V max., 650 V 282 W PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 79 A ±20V max., 650 V 230 W PG-TO247-3
