Infineon IGBT / 90 A, 650 V 395 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6675
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IKW75N65EH5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 90A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Länge | 41.42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 90A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Länge 41.42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Hochgeschwindigkeits-IGBT der fünften Generation von Infineon, max. Kollektor-Emitter-Spannung 650 V, max. Kollektor-Dauerstrom 90 A – IKW75N65EH5XKSA1
Dieser IGBT ist ein Leistungsschaltgerät, das für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er kombiniert schnelle Schaltfunktionen mit robustem Spannungsmanagement, um Wechselrichter- und Motorantriebstopologien zu unterstützen. Die Komponente wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert und nach JEDEC-Standards für konsistente elektrische Eigenschaften gefertigt.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 650 V Vceo ermöglicht Hochspannungswechselrichterkonstruktionen
• 90 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt schwere Motorlasten
• 1,65 V Vcesat minimiert Leitungsverluste bei hohem Strom
• Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• Die Verlustleistung von 395 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Betriebsbereich von -40 °C bis 175 °C eignet sich für Umgebungen mit hohen Temperaturen
• 90 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt schwere Motorlasten
• 1,65 V Vcesat minimiert Leitungsverluste bei hohem Strom
• Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• Die Verlustleistung von 395 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Betriebsbereich von -40 °C bis 175 °C eignet sich für Umgebungen mit hohen Temperaturen
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Leistungsstufen
• Ideal für dreiphasige Inverter-Ausgangstransistoren
• Wird mit Netzteilen verwendet, die ein Hochstromschalten erfordern
• Kann für Traktions- und Hochleistungsantriebe verwendet werden
• Geeignet für Durchsteckprototypen und Leiterplattenmontage-Module
• Ideal für dreiphasige Inverter-Ausgangstransistoren
• Wird mit Netzteilen verwendet, die ein Hochstromschalten erfordern
• Kann für Traktions- und Hochleistungsantriebe verwendet werden
• Geeignet für Durchsteckprototypen und Leiterplattenmontage-Module
Welche Gehäuseeigenschaften beeinflussen die Wärmeübertragung?
Das TO-247-Format bietet eine große Metallrückseite für die Befestigung von Kühlkörpern und Durchsteckleitungen für eine sichere Montage, wodurch eine effiziente Leitung der abgeleiteten Leistung zur externen Kühlung ermöglicht wird.
Wie wirkt sich die Gate-Spannungsgrenze auf die Treiberauswahl aus?
Mit einer maximalen Gate-Emitter-Nennleistung von ±30 V müssen die Treiber die Gate-Amplitude innerhalb dieses Bereichs halten, um Gerätebelastungen zu vermeiden und gleichzeitig einen ausreichenden Antrieb für schnelle Schaltübergänge bereitzustellen.
Welche Überlegungen gelten für den parallelen Betrieb mehrerer Geräte?
Bei der Stromverteilung zwischen den Einheiten stellen Sie sicher, dass die Vcesat-Eigenschaften und die individuelle Gate-Drive-Steuerung übereinstimmen
ist ein angemessenes Wärmemanagement erforderlich, um einen thermischen Ausfall bei ungleichmäßiger Lastverteilung zu verhindern.
Wie verhält sich das Gerät bei hohen Umgebungstemperaturen?
Der angegebene Betriebsbereich bis zu 175 °C zeigt die Eignung für Umgebungen mit hohen Temperaturen an, aber das thermische Design auf Systemebene muss die Sperrschichttemperaturen aufgrund der Verlustleistung von 395 W innerhalb sicherer Grenzen halten.
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