Teile-Nr.

Infineon IGBT / 85 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 273 W, 4-Pin PG-TO247-4

RS Best.-Nr.:: 215-6676
Herst. Teile-Nr.:: IKZ50N65EH5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 85 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 273 W, 4-Pin PG-TO247-4

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RS Best.-Nr.:: 215-6676
Herst. Teile-Nr.:: IKZ50N65EH5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	85 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	273 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-4
	Pinanzahl	4

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	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 85 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 273 W
	Gehäusegröße PG-TO247-4
	Pinanzahl 4

Datasheet-IKZ50N65EH5XKSA1

Der Infineon 650-V-Zweifach-bipolare Transistor mit isoliertem Gate und die Diode werden mit Rapid-1-schneller und weicher antiparalleler Diode kopadiert.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 85 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 273 W, 4-Pin PG-TO247-4

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