STMicroelectronics IGBT / 6 A 600V max. 6-fach, 600 V 12,5 W, 26-Pin N2DIP-26L Typ Z
- RS Best.-Nr.:
- 218-4824
- Herst. Teile-Nr.:
- STGIPQ4C60T-HZ
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 6 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 600V | |
| Verlustleistung max. | 12,5 W | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Gehäusegröße | N2DIP-26L Typ Z | |
| Pinanzahl | 26 | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 6 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. 600V | ||
Verlustleistung max. 12,5 W | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Gehäusegröße N2DIP-26L Typ Z | ||
Pinanzahl 26 | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
SLLIMM nano 2. Serie IPM, 3-phasiger Wechselrichter, 6 A, 600 V, kurzschlussfester IGBT
Diese zweite Serie von SLLIMM (Small Low-Loss Intelligent Molded Module) Nano bietet einen kompakten, leistungsstarken Wechselstrommotorantrieb in einem einfachen, robusten Design. Es besteht aus sechs verbesserten, kurzschließenden, robusten Trench-Gate Fieldtop-IGBTs mit Freilaufdioden und drei Halbbrücken-HVICs für Gate-Antrieb, die geringe elektromagnetische Störungen (EMI) mit optimierter Schaltgeschwindigkeit bieten. Das Gehäuse wurde entwickelt, um ein besseres und einfacheres Aufschrauben des Kühlkörpers zu ermöglichen, und ist für thermische Leistung und Kompaktheit in integrierten Motoranwendungen oder anderen Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme optimiert, bei denen der Montageplatz begrenzt ist. Dieser IPM umfasst einen völlig ungebundenen Operationsverstärker und einen Komparator, mit dem ein schneller und effizienter Schutzschaltkreis entworfen werden kann.
- IPM 6 A, 600 V, 3-phasige IGBT-Wechselrichterbrücke einschließlich 3 Steuerungs-ICs für Gate-Antrieb und Freilaufdioden
- 3,3 V, 5 V, 15 V TTL/CMOS-Eingangskomparatoren mit Hysterese und Abwärts-/Aufwärtswiderständen
- Interne Bootstrap-Diode
- Optimiert für geringe elektromagnetische Störungen
- Unterspannungssperre
- Kurzschlussfester TFS-IGBT
- Abschaltfunktion
- Verriegelungsfunktion
- Operationsverstärker für erweiterte Stromerkennung
- Komparator für Fehlerschutz gegen Überstrom
- Isolationswerte von 1500 V eff/min.
- NTC (UL 1434 CA 2 und 4)
- Bis zu ±2 kV ESD-Schutz (HBM C = 100 pF, R = 1,5 kΩ)
- UL-Zulassung: UL 1557, Datei E81734
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