Infineon IGBT / 80 A, 650 V 275 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6116
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
60 weitere Einheiten hinzufügen, um 4% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
92,25 €
(ohne MwSt.)
109,77 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,075 € | 92,25 € | - |
| 60 - 120 | 2,922 € | 87,66 € | 4% |
| 150 + | 2,798 € | 83,94 € | 9% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6116
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 275W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Länge | 41.42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 275W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Länge 41.42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Hochgeschwindigkeits-IGBT der fünften Generation von Infineon, maximale Kollektor-Emitter-Spannung 650 V, maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom 80 A – IKW50N65EH5XKSA1
Dieser IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät, das zum Schalten und Steuern von Hochspannungs- und Hochstromlasten in elektronischen Leistungssystemen entwickelt wurde. Er ist für Anwendungen vorgesehen, die einen robusten Temperaturbereich und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern, und wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für herkömmliche Montage und Kühlkörper geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Die Kollektor-Emitter-Bewertung von 650 V ermöglicht die Handhabung von Hochspannungsschaltkreisen
• 80 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt große belastungsgesteuerte Anwendungen
• 1,65 V Vce(sat) reduziert Leitungsverluste bei hohem Stromfluss
• Die Verlustleistung von 275 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung im Einsatz
• 30-V-Gate-Emitter-Maximum ermöglicht starke Gate-Drive-Margen
• Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 175 °C für breite Umgebungstemperaturen
• 80 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt große belastungsgesteuerte Anwendungen
• 1,65 V Vce(sat) reduziert Leitungsverluste bei hohem Stromfluss
• Die Verlustleistung von 275 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung im Einsatz
• 30-V-Gate-Emitter-Maximum ermöglicht starke Gate-Drive-Margen
• Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 175 °C für breite Umgebungstemperaturen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Wechselrichterstufen in industriellen Antrieben
• Ideal für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsmodule
• Wird mit großen Motorsteuerungen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Schaltnetzteile in Hochleistungssystemen verwendet werden
• Geeignet für rackmontierte Leistungselektronik mit Durchsteckmontage
• Ideal für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsmodule
• Wird mit großen Motorsteuerungen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Schaltnetzteile in Hochleistungssystemen verwendet werden
• Geeignet für rackmontierte Leistungselektronik mit Durchsteckmontage
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Er wird in einem TO-247-Gehäuse geliefert und ist für die Durchsteckmontage konzipiert.
Welche Verriegelungsgrenzwerte muss ich beachten, um Schäden zu vermeiden?
Die Gate-Emitter-Spannung darf unter keinen Betriebsbedingungen 30 V überschreiten.
Wie verhält es sich bei hohen Umgebungstemperaturen?
Er ist für den Betrieb bei bis zu 175 °C ausgelegt, wobei die angegebene Verlustleistung bis zu 275 W beträgt, um die thermische Belastung zu bewältigen.
Ist sie für Kfz-Standard-Designs geeignet?
Es ist nicht nach Automobilstandards klassifiziert und sollte nicht als konform für diese Anwendungen angesehen werden.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 80 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 80 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 80 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 80 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon Rückwärtsleitender IGBT / 80 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 80 A 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 80 A 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 80 A 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT3.7 N-Kanal Durchsteckmontage