Infineon IGBT / 80 A, 650 V 275 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
226-6116
Herst. Teile-Nr.:
IKW50N65EH5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

275W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC

Länge

41.42mm

Serie

High Speed Fifth Generation

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IKW50N65EH5 ist ein 650-V-Hochgeschwindigkeits-IGBT mit harter Schaltgeschwindigkeit, der mit der Rapid-i-Dioden-Technologie zusammengeschaltet wird. Es hat eine höhere Leistungsdichte und verfügt über niedrige CoEs/EOSS.

Faktor 2,5 niedriger Qg

Reduzierung der Schaltverluste um Faktor 2

200 mV Reduzierung des VCEsat

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