Infineon IGBT / 8 A, 1.2 kV, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 232-6723
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW08N120CS7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 232-6723
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW08N120CS7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 8A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 21.5mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Serie | IKW08N120CS7 | |
| Breite | 16.3mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 8A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 21.5mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Serie IKW08N120CS7 | ||
Breite 16.3mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 8-A-Trenchstop-IGBT7-S7-diskret von Infineon wird in TO-247-Gehäuse mit EC7-Diode im Inneren geliefert. Es bietet einen niedrigen VCEsat, um sehr niedrige Leitungsverluste in Zielanwendungen zu erreichen, und die kogepackte, sehr weiche und schnelle Emitter-gesteuerte Diode hilft, Schaltverluste zu minimieren, die zu insgesamt niedrigen Gesamtverlusten beitragen. Mögliche Anwendungen umfassen industrielle Antriebe, industrielle Netzteile und Solarwechselrichter.
Gute Steuerbarkeit
Voll ausgelegte Freilaufdiode mit verbesserter Weichheit
Höhere Leistungsdichte ohne Kühlkörper-Redesign
Einfache Bauweise zur Erfüllung der EMI-Anforderungen
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