Infineon IGBT-Modul / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V AG-62MM N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 233-3498
- Herst. Teile-Nr.:
- FF600R12KT4HOSA1
- Marke:
- Infineon
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- FF600R12KT4HOSA1
- Marke:
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 600 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | AG-62MM | |
| Konfiguration | Dual | |
| Channel-Typ | N | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 600 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße AG-62MM | ||
Konfiguration Dual | ||
Channel-Typ N | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Das Infineon Dual Fast Trench IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4 und Emitter-gesteuerter 4-Diode.
Höchste Leistungsdichte
Flexibilität
Optimale elektrische Leistung
Höchste Zuverlässigkeit
Flexibilität
Optimale elektrische Leistung
Höchste Zuverlässigkeit
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