- RS Best.-Nr.:
- 242-0976
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP15N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
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(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
2 - 8 | 1,22 € | 2,44 € |
10 - 18 | 1,155 € | 2,31 € |
20 - 48 | 1,045 € | 2,09 € |
50 - 98 | 0,935 € | 1,87 € |
100 + | 0,885 € | 1,77 € |
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- 242-0976
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP15N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der 600 V, 15 A IGBTs-Transistor von Infineon hat einen maximalen kontinuierlichen Kollektorstrom von 26 A. Die maximale Sperrschichttemperatur beträgt 175 °C. Er verfügt über den höchsten Wirkungsgrad, niedrige Leitungs- und Schaltverluste, umfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für Designflexibilität und hohe Gerätezuverlässigkeit.
Antiparallele, emittergesteuerte Diode mit sehr weicher, schneller Erholung
Hohe Robustheit, temperaturbeständiges Verhalten
Niedrige elektromagnetische Emissionen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
Hohe Robustheit, temperaturbeständiges Verhalten
Niedrige elektromagnetische Emissionen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 26 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | 20V |
Verlustleistung max. | 130 W |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Konfiguration | Single |
Gehäusegröße | TO-220-3 |
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