Infineon IGBT-Modul / 39 A +/-20V max. 7-fach, 1200 V 175 W

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RS Best.-Nr.:
244-5394
Herst. Teile-Nr.:
FP25R12W2T4BOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

39 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

+/-20V

Verlustleistung max.

175 W

Anzahl an Transistoren

7

Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert für sich wiederholenden Peak Kollektor-Strom von 50 A und einen maximalen Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,25 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.

Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA
Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 400 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität 0,05 NF

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