Infineon IGBT-Modul, 1200 V 175 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5392
- Herst. Teile-Nr.:
- FP25R12W2T4BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- FP25R12W2T4BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 175W | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | FP25R12W2T4B | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 12mm | |
| Breite | 42.5mm | |
| Länge | 51mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 175W | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie FP25R12W2T4B | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 12mm | ||
Breite 42.5mm | ||
Länge 51mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon FP25R12W2T4B Serie IGBT-Modul, 1200 V Kollektor-Emitter-Spannung, 175 W Verlustleistung - FP25R12W2T4BOMA1
Dieses IGBT-Modul ist ein Leistungshalbleitergerät, das zum Schalten und Steuern von Hochspannungs-Gleich- und Wechselstromlasten in industriellen Anwendungen entwickelt wurde. Er kombiniert mehrere Schaltelemente in einem einzigen kompakten Gehäuse, um eine erhebliche Verlustleistung zu bewältigen und gleichzeitig über einen breiten Umgebungstemperaturbereich zu arbeiten.
Merkmale und Vorteile:
• 1200 V Kollektor-Emitter-Nennwert für Hochspannungsschaltfähigkeit
• Maximale Verlustleistung von 175 W zur Bewältigung erhöhter thermischer Lasten
• VVce(sat) 2,25 V für reduzierte Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• Gate-Emitter-Beständigkeit von 20 V zum Schutz der Steuereingänge
• Sieben-Transistor-Konfiguration zur Unterstützung komplexer Schaltanordnungen
• Betriebsbereitschaft von -40 bis 150 °C für einen breiten thermischen Kopfraum
• Maximale Verlustleistung von 175 W zur Bewältigung erhöhter thermischer Lasten
• VVce(sat) 2,25 V für reduzierte Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• Gate-Emitter-Beständigkeit von 20 V zum Schutz der Steuereingänge
• Sieben-Transistor-Konfiguration zur Unterstützung komplexer Schaltanordnungen
• Betriebsbereitschaft von -40 bis 150 °C für einen breiten thermischen Kopfraum
Anwendungsbereich
• Geeignet für Traktionsumrichterstufen in Stromumwandlungssystemen
• Ideal für industrielle Motorsteuerungen, die Hochspannungsgeräte erfordern
• Verwendung mit USV-Mittelspannungs- und Power-Backup-Systemen
• Kann für Schweißnetzteile verwendet werden, die robuste Schalter benötigen
• Wird für Wechselrichter für erneuerbare Energien verwendet, die erhöhte Gleichspannungen verarbeiten
• Ideal für industrielle Motorsteuerungen, die Hochspannungsgeräte erfordern
• Verwendung mit USV-Mittelspannungs- und Power-Backup-Systemen
• Kann für Schweißnetzteile verwendet werden, die robuste Schalter benötigen
• Wird für Wechselrichter für erneuerbare Energien verwendet, die erhöhte Gleichspannungen verarbeiten
Welche maximale Sperrschichttemperatur kann das Gerät tolerieren?
Die angegebene maximale Betriebstemperatur beträgt 150 °C.
Wie viele Schaltelementen sind im Gehäuse integriert?
Das Modul enthält sieben Transistoren, die in einer einzigen Einheit integriert sind.
Welche Zertifizierung oder Umweltnorm ist für die Materialkonformität angegeben?
Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen, was die Einhaltung von eingeschränkten gefährlichen Stoffen anzeigt.
Welche physische Grundfläche sollte für Leiterplatten- oder Kühlkörperlayout zulässig sein?
Das Modul misst 42,5 mm in der Breite, 51 mm in der Länge und 12 mm in der Höhe.