Infineon IGBT-Modul / 200 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V 700 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5404
- Herst. Teile-Nr.:
- FS150R12KT3BOSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert für sich wiederholenden Peak Kollektor-Strom von 300 A und ein Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,15 V, Gate-Schwellenspannung von 6,5 V.
Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 5,0 mA
Temperatur unter Schaltbedingungen: 125 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 400 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität NF
Temperatur unter Schaltbedingungen: 125 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 400 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität NF
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 200 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V |
| Anzahl an Transistoren | 6 |
| Verlustleistung max. | 700 W |
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