onsemi IGBT-Modul 74 W F1-4PACK Oberfläche

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
245-6960
Herst. Teile-Nr.:
NXH040F120MNF1PTG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Anzahl an Transistoren

4

Gehäusegröße

F1-4PACK

Montageart

Oberfläche

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

1200 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

NXH040F120MNF1PTG

Länge

48.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

12.35mm

Automobilstandard

Nein

Das on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET-Modul ist ein Leistungsmodul mit einer 40 m/1200 V SiC MOSFET-Vollbrücke und einem Thermistor in einem F1-Gehäuse.

40 m/1200 V SiC MOSFET-Halbbrücken-Thermistor

Optionen mit vorinstalltem thermischem Schnittstellenmaterial und ohne vorangetragenen TIM

Pressstifte

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

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