onsemi IGBT-Modul, 1000 V 592 W Q2PACK Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
245-6973
Herst. Teile-Nr.:
NXH350N100H4Q2F2P1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1000V

Maximale Verlustleistung Pd

592W

Anzahl an Transistoren

4

Gehäusegröße

Q2PACK

Montageart

Oberfläche

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

93.1mm

Serie

NXH350N100H4Q2F2P1G

Höhe

12.3mm

Automobilstandard

Nein

Si/SiC-Hybridmodul - EliteSiC, I-Typ NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC-Diode, Q2-Gehäuse, Einpressstifte


Das on Semiconductor Three Level NPC Q2Pack Modul ist ein integriertes Leistungsmodul mit hoher Dichte, das leistungsstarke IGBTs mit robusten, antiparallelen Dioden kombiniert.

Äußerst effizienter Graben mit Feldstopp-Technologie

Geringe Schaltverluste reduzieren die Verlustleistung des Systems

Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte

Niedrige induktive Anordnung

Niedrige Gehäusehöhe

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

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