onsemi IGBT-Modul Triple 156 W 3-Kanal-BOOST Q1 - Gehäuse 180 BQ Lötstifte (bleifrei)

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RS Best.-Nr.:
245-6984
Herst. Teile-Nr.:
NXH40B120MNQ1SNG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Verlustleistung max.

156 W

Anzahl an Transistoren

3

Gehäusegröße

3-Kanal-BOOST Q1 - Gehäuse 180 BQ Lötstifte (bleifrei)

Voll-SiC-MOSFET-Modul | EliteSiC Dreikanal-Voll-SiC-Boost, 1200 V, 40 mohm SiC-MOSFET + 1200 V, 40 A SiC-Diode, vernickeltes DBC


Das on Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG ist ein Leistungsmodul mit einer dreikanaligen Boost-Stufe. Die integrierten SiC-MOSFETs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungsverluste und Schaltverluste, sodass Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit erreichen können.

40 m/1200 V SiC MOSFET Halbbrücke
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Optionen mit vorinstalltem thermischer Schnittstellenmaterial und ohne vorangewandte TIM
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Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

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