Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1000V
	Maximale Verlustleistung Pd	959W
	Anzahl an Transistoren	4
	Gehäusegröße	PIM44
	Montageart	Oberfläche
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	12.3mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Serie	NXH400N100H4Q2F2SG
	Länge	93.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1000V
	Maximale Verlustleistung Pd 959W
	Anzahl an Transistoren 4
	Gehäusegröße PIM44
	Montageart Oberfläche
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 12.3mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Serie NXH400N100H4Q2F2SG
	Länge 93.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - NXH400N100H4Q2F2SG

Das on Semiconductor Three Level NPC Q2 Pack Module ist ein integriertes Leistungsmodul mit hoher Dichte, das leistungsstarke IGBTs mit robusten, antiparallelen Dioden kombiniert.

Extrem effizienter Graben mit Feld-Stop-Technologie

Geringe Schaltverluste reduzieren die Verlustleistung des Systems

Moduldesign bietet hohe Leistungsdichte

Niedrige induktive Anordnung

Niedrige Gehäusehöhe

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei, BFR-frei und RoHS-konform

onsemi IGBT-Modul, 1000 V 959 W PIM44 Oberfläche

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote