onsemi IGBT-Modul, 1000 V 79 W Q2BOOST-PIM53 Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
245-6970
Herst. Teile-Nr.:
NXH300B100H4Q2F2SG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1000V

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Anzahl an Transistoren

6

Gehäusegröße

Q2BOOST-PIM53

Montageart

Oberfläche

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

17.6mm

Länge

93.1mm

Serie

NXH300B100H4Q2F2SG

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

47.3 mm

Automobilstandard

Nein

Das on Semiconductor Q2BOOST-Modul ist ein integriertes Leistungsmodul mit hoher Dichte, das leistungsstarke IGBTs mit einer 1200-V-SiC-Diode kombiniert.

Extrem effizienter Graben mit Feld-Stop-Technologie

Geringe Schaltverluste reduzieren die Verlustleistung des Systems

Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte

Niedrige induktive Anordnung

3 Kanäle im Q2BOOST-Gehäuse

Dies sind bleifreie Geräte

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