Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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RS Best.-Nr.:
253-9813
Herst. Teile-Nr.:
FF600R12ME4WB73BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.85V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

152mm

Höhe

17mm

Serie

FF600R12ME4WB73

Breite

62mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Serie FF600 von Infineon ist ein EconoDUAL 3-Modul mit Trench/Field Stop IGBT und emittergesteuerter Diode und NTC.

VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten Direktgekühlte Grundplatte Isolierte Grundplatte Hochleistungsdichte Standardgehäuse

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