Teile-Nr.

Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

RS Best.-Nr.:: 253-9839
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12N3T7B11BPSA1
Marke:: Infineon

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

82,73 €

(ohne MwSt.)

98,45 €

(inkl. MwSt.)

Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück	Pro Stück
1 - 1	82,73 €
2 - 4	78,59 €
5 +	75,29 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 253-9839
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12N3T7B11BPSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	20mW
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	1.85V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Serie	FP75R12N3T7B11B
	Breite	62.5 mm
	Länge	122mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	17mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 20mW
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Serie FP75R12N3T7B11B
	Breite 62.5 mm
	Länge 122mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 17mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FP75R12N3T7B11BPSA1

Die Serie FP75 von Infineon ist ein EconoPIM 3-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT oder NTC.

Überlastbetrieb bis zu 175 °C Niedriger VCEsat Hohe Leistungs- und Wärmezyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Basisplatte PressFIT-Kontakttechnologie Standardgehäuse

Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

Verwandte Links