Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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RS Best.-Nr.:
253-9838
Herst. Teile-Nr.:
FP75R12N3T7B11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.85V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

17mm

Serie

FP75R12N3T7B11B

Breite

62.5 mm

Länge

122mm

Automobilstandard

Nein

Die Serie FP75 von Infineon ist ein EconoPIM 3-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT oder NTC.

Überlastbetrieb bis zu 175 °C Niedriger VCEsat Hohe Leistungs- und Wärmezyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Basisplatte PressFIT-Kontakttechnologie Standardgehäuse

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