Infineon IGBT-Modul / 30 A, 650 V 105 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 259-1530
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP15N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,464 € | 73,20 € |
| 100 - 200 | 1,171 € | 58,55 € |
| 250 - 450 | 1,098 € | 54,90 € |
| 500 - 950 | 1,025 € | 51,25 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1530
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP15N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 105W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 105W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon-Hochgeschwindigkeits-Schalterserie der fünften Generation bietet Hochgeschwindigkeits-H5-Technologie. Es ist ein Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.
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