Infineon IGBT / 70 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 400 W, 23-Pin Typ N-Kanal Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-3076
- Herst. Teile-Nr.:
- TDB6HK124N16RRBPSA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- TDB6HK124N16RRBPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 70A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400W | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Konfiguration | Gemeinsamer Emittent | |
| Montageart | Panel | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 23 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.75V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 45 mm | |
| Länge | 107.5mm | |
| Höhe | 20.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 70A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400W | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Konfiguration Gemeinsamer Emittent | ||
Montageart Panel | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 23 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.75V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 45 mm | ||
Länge 107.5mm | ||
Höhe 20.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die halbgesteuerten Brückenmodule von Infineon mit Bremschneider und NTC für eine kompaktere Konverterkonstruktion.
Hohe mechanische Robustheit
Isolierte Kupfer-Sockelplatte
RoHS-konform