Teile-Nr.

Infineon IGBT / 153 A ±20V max., 25 V 2,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 273-5233
Herst. Teile-Nr.:: BSC018NE2LSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 153 A ±20V max., 25 V 2,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 273-5233
Herst. Teile-Nr.:: BSC018NE2LSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	153 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	25 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	2,5 W
	Gehäusegröße	PG-TDSON-8
	Montage-Typ	THT
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	8

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 153 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 25 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 2,5 W
	Gehäusegröße PG-TDSON-8
	Montage-Typ THT
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 8

Datasheet - BSC018NE2LSATMA1

Der Infineon MOSFET ist ein 25-V-N-Kanal-MOSFET. Er ist für einen leistungsstarken Buck-Wandler optimiert. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Sehr geringer Einschaltwiderstand
Überlegene Wärmebeständigkeit
100 % Lawinengeprüft

Infineon IGBT / 153 A ±20V max., 25 V 2,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal

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