Infineon IGBT / 10.9 A Einfach 62.5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
273-5239
Herst. Teile-Nr.:
BSC16DN25NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

10.9A

Produkt Typ

IGBT

Anzahl an Transistoren

1

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Konfiguration

Einfach

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

8

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Höhe

1.15mm

Länge

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius. Es handelt sich um eine für die DC/DC-Umwandlung optimierte Einheit. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Ausgezeichnete Gate-Ladung

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