Infineon IGBT / 10.9 A Einfach 62.5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-5240
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 500 - 995 | 0,856 € | 4,28 € |
| 1000 - 2495 | 0,84 € | 4,20 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 273-5240
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 10.9A | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Länge | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 10.9A | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Konfiguration Einfach | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Höhe 1.15mm | ||
Länge 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius. Es handelt sich um eine für die DC/DC-Umwandlung optimierte Einheit. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.
RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Ausgezeichnete Gate-Ladung
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