Infineon IGBT ±20V max. 62,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

5,65 €

(ohne MwSt.)

6,70 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 85 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,13 €5,65 €
50 - 4950,944 €4,72 €
500 - 9950,808 €4,04 €
1000 - 24950,794 €3,97 €
2500 +0,774 €3,87 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-5240
Herst. Teile-Nr.:
BSC16DN25NS3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

62,5 W

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

8

Der Infineon MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius. Es handelt sich um eine für die DC/DC-Umwandlung optimierte Einheit. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Ausgezeichnete Gate-Ladung

Verwandte Links