Teile-Nr.

Infineon IGBT / 153 A, 25 V 2.5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

RS Best.-Nr.:: 273-5234
Herst. Teile-Nr.:: BSC018NE2LSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 153 A, 25 V 2.5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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50 - 495	0,562 €	2,81 €
500 - 995	0,48 €	2,40 €
1000 - 2495	0,472 €	2,36 €
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RS Best.-Nr.:: 273-5234
Herst. Teile-Nr.:: BSC018NE2LSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	153A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	25V
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Anzahl an Transistoren	1
	Gehäusegröße	PG-TDSON-8
	Montageart	Durchsteckmontage
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Pinanzahl	8
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.51mm
	Breite	6.1 mm
	Länge	5.1mm
	Normen/Zulassungen	IEC61249-2-21
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 153A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 25V
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Anzahl an Transistoren 1
	Gehäusegröße PG-TDSON-8
	Montageart Durchsteckmontage
	Kabelkanaltyp Typ N
	Pinanzahl 8
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.51mm
	Breite 6.1 mm
	Länge 5.1mm
	Normen/Zulassungen IEC61249-2-21
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC018NE2LSATMA1

Der Infineon MOSFET ist ein 25-V-N-Kanal-MOSFET. Er ist für einen leistungsstarken Buck-Wandler optimiert. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Sehr geringer Einschaltwiderstand

Überlegene Wärmebeständigkeit

100 % Lawinengeprüft

Infineon IGBT / 153 A, 25 V 2.5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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