Infineon IGBT-Modul / 200 A +/-20V max., 1200 V 680 W Modul
- RS Best.-Nr.:
- 273-7404
- Herst. Teile-Nr.:
- FS150R12PT4BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- FS150R12PT4BOSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das IGBT-Modul von Infineon hat VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten. Dieses GBT-Modul hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen DC-Kollektor-Dauerstrom von 150 A. Dieses IGBT-Modul wird für Hochleistungsumrichter, Motorantriebe und USV-Anlagen verwendet.
Niedriger VCEsat
Standardgehäuse
Isolierte Grundplatte
Geringe Schaltverluste
Standardgehäuse
Isolierte Grundplatte
Geringe Schaltverluste
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 200 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V |
| Verlustleistung max. | 680 W |
| Gehäusegröße | Modul |
| Montage-Typ | Tafelmontage |
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