Vishay IGBT / 372 A Halbbrücke, 650 V 789 W, 7-Pin INT-A-pak Typ N-Kanal Panel

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

93,57 €

(ohne MwSt.)

111,35 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 14 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 493,57 €
5 - 991,16 €
10 +88,88 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
276-6405
Herst. Teile-Nr.:
VS-GT150TS065S
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

372A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Anzahl an Transistoren

2

Maximale Verlustleistung Pd

789W

Konfiguration

Halbbrücke

Gehäusegröße

INT-A-pak

Montageart

Panel

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

7

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.32V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

94.4mm

Breite

35.4 mm

Höhe

30mm

Normen/Zulassungen

UL E78996

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IT
Der IGBT von Vishay verfügt über Antiparallel-Dioden der FRED-Pt-Technologie der Generation 4 mit besonders sanften Rückstromeigenschaften. Sie ist für Hochstrom-Inverterstufen (AC-WIG-Schweißmaschinen) optimiert.

UL-Zulassung

Sehr geringe Leitungsverluste

Geringe EMI

Verwandte Links