Semikron Danfoss IGBT4-Modul / 40 A, 1200 V, 5-Pin SEMITRANS3 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 687-4989
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM400GAL12E4
- Marke:
- Semikron Danfoss
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT4-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Gehäusegröße | SEMITRANS3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 12kHz | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 30.5mm | |
| Länge | 106.4mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60747-1, UL E63532 | |
| Serie | SEMITRANS 3 GAL | |
| Breite | 61.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT4-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Gehäusegröße SEMITRANS3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 5 | ||
Schaltgeschwindigkeit 12kHz | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 30.5mm | ||
Länge 106.4mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60747-1, UL E63532 | ||
Serie SEMITRANS 3 GAL | ||
Breite 61.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Einfach-IGBT-Module
SEMIKRON bietet IGBT- (Insulated-Gate Bipolar Transistor) Module in SEMITRANS-, SEMiX- und SEMITOP-Paketen in verschiedenen Topologien, Strom und Nennspannungen.
IGBT-Module, Semikron
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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