Semikron Danfoss IGBT-Modul / 618 A ±20V max., 1200 V, 5-Pin SEMITRANS3 N-Kanal

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

268,40 €

(ohne MwSt.)

319,40 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 12 Einheit(en) mit Versand ab 08. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9268,40 €
10 - 19255,25 €
20 - 49242,36 €
50 - 249230,29 €
250 +219,01 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
687-4989
Herst. Teile-Nr.:
SKM400GAL12E4
Marke:
Semikron Danfoss
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Semikron Danfoss

Dauer-Kollektorstrom max.

618 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

SEMITRANS3

Montage-Typ

Tafelmontage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

5

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

106.4 x 61.4 x 30.5mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Einfach-IGBT-Module


SEMIKRON bietet IGBT- (Insulated-Gate Bipolar Transistor) Module in SEMITRANS-, SEMiX- und SEMITOP-Paketen in verschiedenen Topologien, Strom und Nennspannungen.


IGBT-Module, Semikron


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links