Semikron Danfoss Schnelles IGBT4-Modul / 232 A, 1200 V, 5-Pin SEMITRANS2 Typ N-Kanal Oberfläche

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

98,94 €

(ohne MwSt.)

117,74 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 48 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 998,94 €
10 - 1973,51 €
20 +69,86 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
687-4955
Herst. Teile-Nr.:
SKM150GAR12T4
Marke:
Semikron Danfoss
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Semikron Danfoss

Produkt Typ

Schnelles IGBT4-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

232A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Gehäusegröße

SEMITRANS2

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

5

Schaltgeschwindigkeit

180ns

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.4V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60747-1

Länge

94mm

Serie

GAR

Höhe

30.1mm

Breite

34 mm

Automobilstandard

Nein

Einfach-IGBT-Module


SEMIKRON bietet IGBT- (Insulated-Gate Bipolar Transistor) Module in SEMITRANS-, SEMiX- und SEMITOP-Paketen in verschiedenen Topologien, Strom und Nennspannungen.

IGBT-Module, Semikron


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links

Recently viewed