Semikron Danfoss IGBT-Modul / 232 A ±20V max., 1200 V, 5-Pin SEMITRANS2 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
687-4951
Herst. Teile-Nr.:
SKM150GAL12T4
Marke:
Semikron Danfoss
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Marke

Semikron Danfoss

Dauer-Kollektorstrom max.

232 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

SEMITRANS2

Montage-Typ

Tafelmontage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

5

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

94 x 34 x 30.1mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Einfach-IGBT-Module


SEMIKRON bietet IGBT- (Insulated-Gate Bipolar Transistor) Module in SEMITRANS-, SEMiX- und SEMITOP-Paketen in verschiedenen Topologien, Strom und Nennspannungen.


IGBT-Module, Semikron


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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