Semikron Danfoss IGBT-Modul / 113 A, 1.28 V SEMITRANS2
- RS Best.-Nr.:
- 248-6711
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM75GB12F4
- Marke:
- Semikron Danfoss
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- RS Best.-Nr.:
- 248-6711
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM75GB12F4
- Marke:
- Semikron Danfoss
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 113A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.28V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | SEMITRANS2 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 9ns | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.93V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 30mm | |
| Länge | 94mm | |
| Breite | 34mm | |
| Serie | SKM75 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 113A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.28V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße SEMITRANS2 | ||
Schaltgeschwindigkeit 9ns | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.93V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 30mm | ||
Länge 94mm | ||
Breite 34mm | ||
Serie SKM75 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
The Semikron SEMITRANS series IGBT module has 1200 v collector to emitter voltage. It is mainly used in UPS, electronic welders, inductive heating, Switched Mode power supplies.
Increased power cycling capability
Insulated copper baseplate using DBC technology (Direct Bonded Copper)
For higher switching frequencies above 15kHz
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