Semikron Danfoss IGBT-Modul / 100 A, 1.28 V
- RS Best.-Nr.:
- 248-6690
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM100GAL12F4
- Marke:
- Semikron Danfoss
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- SKM100GAL12F4
- Marke:
- Semikron Danfoss
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 100A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.28V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.93V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | SKM100 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 100A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.28V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.93V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie SKM100 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IGBT-Module der Serie SEMITRANS von Semikron haben eine Spannung von 1200 V zwischen Kollektor und Emitter. Sie werden hauptsächlich in USV, elektronischen Schweißgeräten, induktiven Heizgeräten und Schaltnetzteilen eingesetzt.
Erhöhte Fähigkeit zum Leistungswechsel
Isolierte Kupfer-Grundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper)
Für höhere Schaltfrequenzen über 15 kHz
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