onsemi IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 100 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 759-9257
- Herst. Teile-Nr.:
- FGAF40N60UFTU
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Stück)*
1,25 €
(ohne MwSt.)
1,49 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Zusätzlich 2 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
- Die letzten 662 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | 1,25 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9257
- Herst. Teile-Nr.:
- FGAF40N60UFTU
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 100 W | |
| Gehäusegröße | TO-3PF | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.5 x 5.5 x 26.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 40 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 100 W | ||
Gehäusegröße TO-3PF | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.5 x 5.5 x 26.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- onsemi IGBT / 40 A ±20V max. 3-Pin TO-3PF N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-3PF N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. 3-Pin TO-3PF
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-3PF N-Kanal
- onsemi IGBT / 40 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- onsemi IGBT / 120 A ±20V max. 3-Pin TO-247AB N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 120 A ±20V max. 3-Pin TO-3PN N-Kanal