STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max., 600 V 167 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 791-7621
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW20V60F
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
15,24 €
(ohne MwSt.)
18,135 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 15 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,048 € | 15,24 € |
| 25 - 45 | 2,896 € | 14,48 € |
| 50 - 120 | 2,604 € | 13,02 € |
| 125 - 245 | 2,344 € | 11,72 € |
| 250 + | 2,23 € | 11,15 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 791-7621
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW20V60F
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 20 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 167 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 20 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 167 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal