STMicroelectronics IGBT / 9 A, 600 V 25 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

8,59 €

(ohne MwSt.)

10,22 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 10 Einheit(en) mit Versand ab 18. Mai 2026
  • Zusätzlich 150 Einheit(en) mit Versand ab 08. Juli 2026
  • Zusätzlich 150 Einheit(en) mit Versand ab 19. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 400,859 €8,59 €
50 - 900,848 €8,48 €
100 - 2400,839 €8,39 €
250 - 4900,828 €8,28 €
500 +0,818 €8,18 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
795-7142
Herst. Teile-Nr.:
STGF10NC60KD
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

9A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.5V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

16.4mm

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Serie

Low Drop

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links