STMicroelectronics IGBT / 30 A, 390 V 150 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*

6,54 €

(ohne MwSt.)

7,785 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 2.470 Einheit(en) mit Versand ab 25. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
5 - 201,308 €6,54 €
25 - 451,24 €6,20 €
50 - 1201,116 €5,58 €
125 - 2451,004 €5,02 €
250 +0,956 €4,78 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
795-9019
Herst. Teile-Nr.:
STGD18N40LZT4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

390V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.7V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

STGD18N40LZ

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

AEC Q101

Breite

6.2 mm

Höhe

2.4mm

Energie

180mJ

Automobilstandard

AEC-Q101

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links