STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 1200 V 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 877-2879
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD5NB120SZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
7,78 €
(ohne MwSt.)
9,26 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 6.920 Einheit(en) mit Versand ab 26. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,556 € | 7,78 € |
| 25 - 45 | 1,478 € | 7,39 € |
| 50 - 120 | 1,332 € | 6,66 € |
| 125 - 245 | 1,198 € | 5,99 € |
| 250 + | 1,136 € | 5,68 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 877-2879
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD5NB120SZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 10 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 75 W | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Nennleistung | 12.68mJ | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Kapazität | 430pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 10 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 75 W | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Nennleistung 12.68mJ | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Kapazität 430pF | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 4 A ±20V max. 3-Pin DPAK
- Infineon IGBT / 8 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 14 A ±20V max. 3-Pin D²PAK N-Kanal
- Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin TO-247
- IXYS IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 75 A 20V max., 1200 V 20 mW