STMicroelectronics IGBT / 5 A, 1200 V 75 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 877-2879P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD5NB120SZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 5A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 690ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.4 mm | |
| Serie | H | |
| Länge | 6.2mm | |
| Höhe | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC JESD97, ECOPACK | |
| Energie | 12.68mJ | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 5A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 690ns | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.4 mm | ||
Serie H | ||
Länge 6.2mm | ||
Höhe 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC JESD97, ECOPACK | ||
Energie 12.68mJ | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.